将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。tdk电容迄今为止，敝社始终以从材料开发电子元件为宗旨，使用以铁氧体为起点的磁性材料与材料技术，为世界提供各种独创电子元件tdk电容
展望未来，TDK将在中国进一步拓展业务范围。新的策略将会涵盖客户服务，制造，以及产品开发等多个范畴。客户服务方面，我们将会加强TDK电感的产品应用，整合设计，以及原型设计服务，以更紧密地配合客户的早期产品开发；同时，我们将会致力建立一个客户需求驱动的高度灵活的制造系统，以满足客户在投产阶段的不同需要。。TDK的主要产品为被动元件，即广泛使用于铁氧体磁芯、线圈、变压器、陶瓷电容器、传感器等电气、电子设备中的各类基础元件。以积累至今的高新技术与核心技能为基础，积极研发与制造磁头、磁铁、电源、电池等设备。tdk电容（2）电容的标志方法：（1）直标法：用字母和数字把型号、规格直接标在外壳上。（2）文字符号法：用数字、文字符号有规律的组合来表示容量tdk电容
旁路电容是为本地器件提供能量的储能器件，它能使稳压器的输出均匀化，降低负载需求。就像小型可充电电池一样，旁路电容能够被充电，并向器件进行放电。为尽量减少阻抗，旁路电容要尽量靠近负载器件的供电电源管脚和地管脚。这能够很好地防止输入值过大而导致的地电位抬高和噪声。地弹是地连接处在通过大电流毛刺时的电压降。。文字符号表示其电容量的单位：P、N、u、m、F等。和电阻的表示方法相同。标称允许偏差也和电阻的表示方法相同。小于10pF的电容，其允许偏差用字母代替：B--±0.1pF，C--±0.2pF，D--±0.5pF，F--±1pF。
tdk电容2、应用场合不同，陶瓷电容器容量小，高频特性好，使用温度可以达到几百上千度，价格不高以上都为陶瓷X7R材质，耐温-55-125度。损耗（DF）小于2。5%可代替传统插件瓷片和CBB以及铝电解缩小体积模块电源常用大容量贴片电容和高压贴片电容100V1U1812封装100V2.2U1812封装。一般用在旁路tdk电容，滤波应用；薄膜电容器价格较高，稳定性较好，耐电压电流能力很突出，但容量一般不超过1mF，一般用来降压，耦合。高压薄膜电容器与高压陶瓷电容器的区别：1、高压陶瓷电容的使用寿命更长
