将旁路电容和去藕电容结合起来将更容易理解。旁路电容实际也是去藕合的，只是旁路电容一般是指高频旁路，也就是给高频的开关噪声提高一条低阻抗泄防途径。高频旁路电容一般比较小，根据谐振频率一般是0.1u，0.01u等，而去耦合电容一般比较大，是10uF或者更大，依据电路中分布参数，以及驱动电流的变化大小来确定。旁路是把输入信号中的干扰作为滤除对象，而去耦是把输出信号的干扰作为滤除对象，防止干扰信号返回电源。这应该是他们的本质区别。
MURATA电容
TDK电容型号命名规则（1）各国电容器的型号命名很不统一，国产电容器的命名由四部分组成：第一部分：用字母表示名称，电容器为CMURATA电容
。第二部分：用字母表示材料。第三部分：用数字表示分类。第四部分：用数字表示序号。MURATA电容4、损耗角正切(tgδ)：在规定频率的正弦电压下，电容器的损耗功率除以电容器的无功功率。这里需要解释一下，在实际应用中，电容器并不是一个纯电容，其内部还有等效电阻，它的简化等效电路如下图所示MURATA电容
近年认为合适而使用无极电容做胆前级的电源滤波电容也越来越多见。散布电感认为合适而使用叠片形式的电容比认为合适而使用卷绕形式电容的电感小，所以认为合适而使用叠片形式容电器的改换效率高，高频响应好，但卷绕形式出产过程容易，故市面儿上的电容以卷绕形式多见。一点品质较好的电容认为合适而使用多个小容积电容并联以减损散布电感。。图中C为电容器的实际电容量，Rs是电容器的串联等效电阻，Rp是介质的绝缘电阻，Ro是介质的吸收等效电阻。对于电子设备来说，要求Rs愈小愈好，也就是说要求损耗功率小，其与电容的功率的夹角δ要小。
MURATA电容2、应用场合不同，陶瓷电容器容量小，高频特性好，使用温度可以达到几百上千度，价格不高tdk电容命名规则介绍电容在市场上的品牌居多，而且产品类型居多。为了能够便于采购和选择电容类型，因此会有相关的命名规则。人们可以根据其命名来了解相关的产品信息。那么tdk电容命名规则是怎样的呢？想必大家对于这样的电容命名规则也是倍加关注的。不妨一起来探究一下吧。。一般用在旁路MURATA电容，滤波应用；薄膜电容器价格较高，稳定性较好，耐电压电流能力很突出，但容量一般不超过1mF，一般用来降压，耦合。高压薄膜电容器与高压陶瓷电容器的区别：1、高压陶瓷电容的使用寿命更长
